ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF9511
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - IRF9511 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - IRF9511
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 20W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 180 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation IRF9511
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF9511 | IRF9510SPBF | IRF9520 | IRF9520NPBF |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | 8.7 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 20W (Tc) | 43W (Tc) | 60W (Tc) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| ชุด | - | - | - | HEXFET® |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 180 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V | 390 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | - | TO-220AB | TO-220AB |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.5A, 10V | 1.2Ohm @ 2.4A, 10V | 600mOhm @ 4.1A, 10V | 480mOhm @ 4A, 10V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Tc) | 4A (Tc) | 6.8A (Tc) | 6.8A (Tc) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | 100 V | 100 V | 100 V |
IRF9510SPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 4A D2PAKIRF9520Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 6.8A TO220ABIRF9520NPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A TO220ABIRF9510PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 4A TO220ABIRF9510STRLVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 4A D2PAKIRF9520NSInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAKIRF9510SVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 4A D2PAKIRF9520N MOSIRIRF9520NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
IRF9520NLInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.8A TO262IRF9510STRLPBF MOSIRIRF9510STRPBFIRIRF9520NIRIRF9510STRLPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 4A D2PAKIRF9510S MOSIRIRF9510STRL MOSIRIRF9510STRRVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 4A D2PAKIRF9520Harris CorporationMOSFET P-CH 100V 6A TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที