ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF9532
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - IRF9532 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - IRF9532
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 6.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 75W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 500 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation IRF9532
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF9532 | IRF9530S | IRF9531 | IRF9540NLPBF |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Harris Corporation | Infineon Technologies |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 500 pF @ 25 V | 860 pF @ 25 V | - | 1450 pF @ 25 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | HEXFET® |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | D²PAK (TO-263) | TO-220AB | TO-262 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 60 V | 100 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±320V | ±20V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 6.5A, 10V | 300mOhm @ 7.2A, 10V | - | 117mOhm @ 14A, 10V |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Tc) | 12A (Tc) | 12A | 23A (Tc) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 75W (Tc) | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | 75W | 3.1W (Ta), 110W (Tc) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | - | 110 nC @ 10 V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | - | 10V |
IRF9530S MOSIRIRF9530SVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 12A D2PAKIRF9540NPBF MOSIRIRF9531Harris CorporationMOSFET P-CH 60V 12A TO220ABIRF9540NLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 23A TO262IRF9540NSIRIRF9540NIRIRF9540N CHNIRIRF9530PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 12A TO220ABIRF9540Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 19A TO220ABIRF9530STRRPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 12A D2PAKIRF9540NS F9540NSIR
IRF9540Fairchild SemiconductorIRF9540 - 19A, 100V, 0.2OHM, P-C
IRF9530PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF9540NPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 23A TO220ABIRF9530STRLPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 12A D2PAKIRF9530S F9530SIR
IRF9530NSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 14A D2PAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที