ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFF433
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - IRFF433 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - IRFF433
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-205AF (TO-39) | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 25W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AF Metal Can | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 600 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 450 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.25A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation IRFF433
| คุณสมบัติสินค้า | |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFF433 | IRFF221 | IRFF9133 | IRFF9213 |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Harris Corporation | International Rectifier | International Rectifier |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.25A (Tc) | 3.5A (Tc) | - | 1.3A (Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 600 pF @ 25 V | 450 pF @ 25 V | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-205AF (TO-39) | TO-205AF (TO-39) | - | TO-205AF (TO-39) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 25W (Tc) | 20W (Tc) | - | 15W |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 450 V | 150 V | - | 150 V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.5A, 10V | 800mOhm @ 2A, 10V | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | - | Bulk |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AF Metal Can | TO-205AF Metal Can | - | TO-205AF Metal Can |
| ชุด | - | - | - | HEXFET® |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | - | - |
IRFF9320IRIRFF9111IRIRFF431RIRIRFF221Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRFF210RIRIRFF9133International RectifierAUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWEIRFF310IRIRFF330RIRIRFF230IRIRFF4300IRIRFF9213International RectifierMOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AFIRFF9230IRIRFF9131Harris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETIRFF420HARRISIRFF220IRIRFF9130Harris Corporation6.5A, 100V, 0.3OHM, P-CHANNEL MOIRFF9110HARRISIRFF430IR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที