ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CLB30I1200HB
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - CLB30I1200HB คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - CLB30I1200HB
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 1.28 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 1.2 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 1.3 V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 (IXTH) | |
| ชุด | CLB30I1200HB | |
| ประเภท SCR | Standard Recovery | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 47 A | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 30 A | |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 300A, 325A | |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 60 mA | |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 28 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CLB30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS CLB30I1200HB
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | CLB30I1200HB | 10RIA10 | JAN2N2326S | 2N1846 |
| ผู้ผลิต | IXYS | Solid State Inc. | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 60 mA | 100 mA | 2 mA | 20 mA |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 30 A | 10 A | 220 mA | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Stud Mount | Through Hole | Stud Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CLB30 | - | - | - |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 28 mA | 60 mA | 200 µA | 80 mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 125°C (TJ) | -65°C ~ 125°C | -40°C ~ 100°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Box |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-208AA, TO-48-3, Stud | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-208AA, TO-48-3, Stud |
| ชุด | CLB30I1200HB | 10RIA | Military, MIL-PRF-19500/276 | - |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 47 A | 25 A | - | 16 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 1.2 kV | 100 V | 200 V | 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 1.28 V | 1.75 V | - | 1.8 V |
| ประเภท SCR | Standard Recovery | Standard Recovery | Sensitive Gate | Standard Recovery |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 300A, 325A | 225A, 240A | - | 125A @ 60Hz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 (IXTH) | TO-48 | TO-39 (TO-205AD) | TO-48 |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 1.3 V | 2 V | 800 mV | 2 V |
CLB50BB60SANREXIGBT Module10RIA10Solid State Inc.SCR THYRISTOR 25 AMP TO 48CLB40AB120SANREXIGBT ModuleJAN2N2326SMicrochip TechnologySCR 200V TO39CLB80BB60SANREXIGBT Module
CLB1108-4-50TR-REaton - Electronics DivisionFIXED IND 200NH 0.28 MOHM SMDCLB80AB60SANREXIGBT Module2N1846Solid State Inc.TO 48 16 AMP SCR
S6008LS3Littelfuse Inc.SCR 600V 8A TO220
CLB1108-2-50TR-REaton - Electronics DivisionFIXED IND 200NH 0.28 MOHM SMD
CLB-203-11A3N-B-ACarling TechnologiesCIR BRKR THRM 20A 250VAC 32VDCCLB25AB80SANREXIGBT ModuleClb25aa120SANREXIGBT Module
CLB30I1200PZIXYS / LittelfuseIGBT ModuleCLB50AB120SANREXIGBT ModuleCLB25AB120SANREXIGBT ModuleCLB50AB80SANREXIGBT ModuleCLB50AB60SANREXIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที