ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DLA60I1200HA
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - DLA60I1200HA คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - DLA60I1200HA
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 60 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 30 µA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 60A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 33pF @ 400V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DLA60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS DLA60I1200HA
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DLA60I1200HA | RB521S-30TE61 | SS14HE3_A/H | VSSAF5N50-M3/6A |
| ผู้ผลิต | IXYS | Rohm Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Schottky | Schottky |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | SC-79, SOD-523 | DO-214AC, SMA | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | EMD2 | DO-214AC (SMA) | DO-221AC (SlimSMA) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 60A | 200mA | 1A | 3A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 33pF @ 400V, 1MHz | - | - | 850pF @ 4V, 1MHz |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | 125°C (Max) | -65°C ~ 125°C | -40°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 60 A | 500 mV @ 200 mA | 500 mV @ 1 A | 410 mV @ 2.5 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DLA60 | RB521 | SS14 | SAF5N50 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 30 µA @ 1200 V | 30 µA @ 10 V | 200 µA @ 40 V | 1.4 mA @ 50 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 30 V | 40 V | 50 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | - | Automotive, AEC-Q101 | TMBS®, SlimSMA™ |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DLA60I1200HA PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ DLA60I1200HA - IXYS
DLA001DTRSTMicroelectronics
DLA100B800LBIXYS / LittelfuseDLA001DSTMicroelectronicsRB521S-30TE61Rohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2DLA98006XXSS14HE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214ACVSSAF5N50-M3/6AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 50V 3A DO221AC
CDBB260-GComchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AA
SBR1A40S1-7Diodes IncorporatedDIODE SBR 40V 1A SOD123
STTH102ASTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 1A SMADLA94006-104HT-1PSEMITEC
ES2D-M3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
SDM8M100P5-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 100V 8A POWERDI 5
MUR115RLGonsemiDIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL
1N2132RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 250V 70A DO5
DLA40IM800PCIXYS CorporationDIODE GEN PURP 800V 40A TO263
UF4002-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO204ALDLA001NSTMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที