ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DNA30E2200FE
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - DNA30E2200FE คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - DNA30E2200FE
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 2200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | i4-PAC | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-251-2, IPak |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 40 µA @ 2200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 7pF @ 700V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DNA30E2200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS DNA30E2200FE
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DNA30E2200FE | DNA30EM2200PZ | DNA30ER2200IY | DNA30E2200PZ |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS Corporation | IXYS | IXYS Corporation |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 30 A | 1.26V @ 30A | 1.26 V @ 30 A | 1.26V @ 30A |
| เทคโนโลยี | Standard | - | Standard | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-251-2, IPak | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-2, I²Pak | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 7pF @ 700V, 1MHz | 7pF @ 700V, 1MHz | 7pF @ 700V, 1MHz | 7pF @ 700V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 2200 V | 2200V | 2200 V | 2200V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | i4-PAC | TO-263 (D2Pak) | TO-262 (I2PAK) | TO-263 (D2Pak) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | 30A | 30A | 30A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 40 µA @ 2200 V | 40µA @ 2200V | 40 µA @ 2200 V | 40µA @ 2200V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DNA30E2200 | - | DNA30ER2200 | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | - | Tube | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DNA30E2200FE PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ DNA30E2200FE - IXYS
DNA1004BLF-ELHITACHIDNA1002DSFP-ELHITACHIDNA1004BLPHITACHIDNA1002DSHITACHI
DNA1004CLPRenesas Electronics CorporationDNA1002DSFPEL-ERenesas Electronics CorporationDNA30EM2200PZIXYS CorporationDIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263DNA1006AFPELL-ERENASESDNA1002EPHITACHIDNA30ER2200IYIXYSDIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO262DNA1002DSFP-EHITACHIDNA30E2200PZIXYS CorporationDIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263DNA1004CLFEL-ERenesas Electronics CorporationDNA1002DFPEL-ERenesas Electronics CorporationDNA1004CLP-ERenesas Electronics CorporationDNA30E2200PAIXYSDIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220ACDNA1002DP-ERenesas Electronics CorporationDNA120E2200KOIXYSDIODE GP 2.2KV 120A ISOPLUS264| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที