ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DSI2X55-12A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - DSI2X55-12A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - DSI2X55-12A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 60 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Independent | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 300 µA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 56A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DSI2X55 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS DSI2X55-12A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DSI2X55-12A | DSI2X55-16A | DSI17-08A | DSI30-16AS |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS Corporation |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Box | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 56A | 56A | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 60 A | 1.2 V @ 60 A | 1.36 V @ 55 A | 1.29V @ 30A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | DO-203AA, DO-4, Stud | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Independent | 2 Independent | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Avalanche | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 1600 V | 800 V | 1600V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DSI2X55 | DSI2X55 | DSI17 | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 300 µA @ 1200 V | 300 µA @ 1600 V | 4 mA @ 800 V | 40µA @ 1600V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | SOT-227B | DO-203AA | TO-263AB (D²PAK) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis, Stud Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 180°C | -40°C ~ 175°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DSI2X55-12A PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ DSI2X55-12A - IXYS
DSI17-08AIXYSDIODE AVALANCHE 800V 25A DO203AADSI30-16ASIXYS CorporationDIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263DSI35-07AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleDSI35-06AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleDSI30-08AIXYSDIODE GEN PURP 800V 30A TO220ACDSI17-12AIXYSDIODE AVAL 1.2KV 25A DO203AADSI17-06AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleDSI17-04AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleDSI17-18AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleDSI17-14AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleDSI30-08ASIXYS CorporationDIODE GEN PURP 800V 30A TO263DSI17-11AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleDSI35-02AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleDSI17-16AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleDSI2X55-16AIXYSDIODE MODULE 1.6KV 56A SOT227BDSI17-07AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleDSI35-04AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleDSI30-12AIXYSDIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที