ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FMD21-05QC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - FMD21-05QC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - FMD21-05QC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOPLUS i4-PAC™ | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 15A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | i4-Pac™-5 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 21A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FMD21 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS FMD21-05QC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FMD21-05QC | AO4453 | FCB260N65S3 | FMD40-06KC |
| ผู้ผลิต | IXYS | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | onsemi | IXYS |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 1.5V, 4.5V | 10V | 10V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 15A, 10V | 19mOhm @ 9A, 4.5V | 260mOhm @ 6A, 10V | 70mOhm @ 20A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | 2.5W (Ta) | 90W (Tc) | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 21A (Tc) | 9A (Ta) | 12A (Tc) | 38A (Tc) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±8V | ±30V | ±20V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 4.5V @ 1.2mA | 3.9V @ 2.7mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOPLUS i4-PAC™ | 8-SOIC | D²PAK (TO-263) | ISOPLUS i4-PAC™ |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | 18 nC @ 4.5 V | 24 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FMD21 | AO44 | FCB260 | FMD40 |
| ชุด | - | - | SuperFET® III | HiPerFET™ |
| ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | i4-Pac™-5 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | i4-Pac™-5 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | 12 V | 650 V | 600 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FMD21-05QC PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ FMD21-05QC - IXYS
FMD8C16LAH-25EEFIDELIXFMD8B16LCH-30EIFIDELIX
FMD-4206SSanken Electric USA Inc.DIODE ARRAY GP 600V 20A TO3PFFMD28-461SLINTERPOINT
FMD4206SSanken Electric Co., Ltd.FMD28-461/ESINTERPOINTFMD8B16LBH-30EEFIDELIXFMDL7610SFSCAO4453Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 12V 9A 8SOICFCB260N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 12A D2PAKFMD40-06KCIXYSMOSFET N-CH 600V 38A I4PACFMD5N50E5FORTIOR
IRFI624GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 3.4A TO220-3FMD-G26SSanken Electric USA Inc.DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FFMD28-461INTERPOINTFMD-4204S/D4204SAK
FMD4-TRMAMI Semiconductor/onsemiFMD4-TRM-EAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที