ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXBH10N170
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXBH10N170 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXBH10N170
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1700 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.8V @ 15V, 10A | |
| ทดสอบสภาพ | 1360V, 10A, 56Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 35ns/500ns | |
| การสลับพลังงาน | 6mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | |
| ชุด | BIMOSFET™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 360 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 140 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 30 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 40 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 20 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXBH10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXBH10N170
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXBH10N170 | IXBH2N250 | IXBH32N300 | IXBH16N170A |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 40 A | 13 A | 280 A | 40 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1700 V | 2500 V | 3000 V | 1700 V |
| ทดสอบสภาพ | 1360V, 10A, 56Ohm, 15V | - | - | 1360V, 10A, 10Ohm, 15V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.8V @ 15V, 10A | 3.5V @ 15V, 2A | 3.2V @ 15V, 32A | 6V @ 15V, 10A |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 30 nC | 10.6 nC | 142 nC | 65 nC |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXBH10 | IXBH2 | IXBH32 | IXBH16 |
| การสลับพลังงาน | 6mJ (off) | - | - | 1.2mJ (off) |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| ชุด | BIMOSFET™ | BIMOSFET™ | BIMOSFET™ | BIMOSFET™ |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 140 W | 32 W | 400 W | 150 W |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | TO-247AD | TO-247AD | TO-247AD |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 35ns/500ns | - | - | 15ns/160ns |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 20 A | 5 A | 80 A | 16 A |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 360 ns | 920 ns | 1.5 µs | 360 ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXBH10N170 PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXBH10N170 - IXYS
IXBH2N250IXYSIGBT 2500V 5A 32W TO247IXBH32N300IXYSIGBT 3000V 80A 400W TO247IXBH16N170AIXYSIGBT 1700V 16A 150W TO247ADIXBH9N160GIXYSIGBT 1600V 9A 100W TO247ADIXBH42N170IXYSIGBT 1700V 80A 360W TO247IXBH42N170AIXYSIGBT 1700V 42A 357W TO247IXBH5N160GIXYSIGBT 1600V 5.7A 68W TO247ADIXBH6N170IXYSIGBT 1700V 12A 75W TO247AD
IXBN75N170AIXYSIGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227BIXBOD1-13RDIXYSTVS DEVICE MIXED 1300V BODIXBH16N170IXYSIGBT 1700V 40A 250W TO247ADIXBF55N300IXYSDISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT I4-PIXBF20N360IXYSIGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAKIXBH12N300IXYSIGBT 3000V 30A 160W TO247IXBH40N160IXYSIGBT 1600V 33A 350W TO247ADIXBF40N160IXYSIGBT 1600V 28A 250W I4PACIXBN75N170IXYSIGBT MOD 1700V 145A 625W SOT227B
IXB144WJZZQSharp Microelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที