ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXDN504SIA
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXDN504SIA คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXDN504SIA
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 30V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 9ns, 8ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 3V | |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 4A, 4A | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXDN504 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXDN504SIA
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXDN504SIA | IXDN504PI | IXDN502SIA | IXDN414PI |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 4A, 4A | 4A, 4A | 2A, 2A | 14A, 14A |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | 2 | 2 | 1 |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3.5V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-DIP | 8-SOIC | 8-DIP |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 30V | 4.5V ~ 30V | 4.5V ~ 30V | 4.5V ~ 35V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXDN504 | IXDN504 | IXDN502 | IXDN414 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | Low-Side | Low-Side | Low-Side |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 9ns, 8ns | 9ns, 8ns | 7.5ns, 6.5ns | 22ns, 20ns |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | Independent | Independent | Single |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXDN504SIA PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXDN504SIA - IXYS
IXDN504PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDN502SIAIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDN414PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDN409SIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDN602D2TRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFNIXDN514SIAIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDN55N120DIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXDN50N120D1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXDN55N120IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXDN40N120IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXDN502PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDN404SIAIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDN50N120AU1IXYS / LittelfuseIGBT Module
IXDN55N120DINOIGBT ModuleIXDN414CIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5IXDN409PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDN509SIAIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDN55N120D1IXYSIGBT MOD 1200V 100A 450W SOT227B| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที