ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXFK300N20X3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXFK300N20X3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXFK300N20X3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 8mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264 | |
ชุด | HiPerFET™, Ultra X3 | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 150A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1250W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 23800 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 375 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 300A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXFK300 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXFK300N20X3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXFK300N20X3 | IXFK26N60Q | IXFK35N50 | IXFK34N80 |
ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 375 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V | 227 nC @ 10 V | 270 nC @ 10 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1250W (Tc) | 360W (Tc) | 416W (Tc) | 560W (Tc) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 150A, 10V | 250mOhm @ 13A, 10V | 150mOhm @ 16.5A, 10V | 240mOhm @ 17A, 10V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 23800 pF @ 25 V | 5100 pF @ 25 V | 5700 pF @ 25 V | 7500 pF @ 25 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 300A (Tc) | 26A (Tc) | 35A (Tc) | 34A (Tc) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 8mA | 4.5V @ 4mA | 4V @ 4mA | 5V @ 8mA |
ชุด | HiPerFET™, Ultra X3 | HiPerFET™ | HiPerFET™ | HiPerFET™ |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXFK300 | IXFK26 | IXFK35 | IXFK34 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 600 V | 500 V | 800 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264 | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXFK300N20X3 PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXFK300N20X3 - IXYS
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที