ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXFN120N25
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXFN120N25 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXFN120N25
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 120A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXFN120 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXFN120N25
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXFN120N25 | IXFN100N50Q3 | IXFN140N20P | IXFN106N20 |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXFN120 | IXFN100 | IXFN140 | IXFN106 |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | 6.5V @ 8mA | 5V @ 4mA | 4V @ 8mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| ชุด | - | HiPerFET™, Q3 Class | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™ |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | 500 V | 200 V | 200 V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | 49mOhm @ 50A, 10V | 18mOhm @ 70A, 10V | 20mOhm @ 500mA, 10V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 120A | 82A (Tc) | 115A (Tc) | 106A (Tc) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Box | Tube |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | 960W (Tc) | 680W (Tc) | 521W (Tc) |
IXFN100N50Q3IXYSMOSFET N-CH 500V 82A SOT227BIXFN140N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 115A SOT227BIXFN106N20IXYSMOSFET N-CH 200V 106A SOT-227BIXFN102N30IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN130N30IXYSMOSFET N-CH 300V 130A SOT-227BIXFN100N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 78A SOT227BIXFN106N2070NOIGBT ModuleIXFN150N10IXYSMOSFET N-CH 100V 150A SOT-227IXFN102N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 88A SOT227BIXFN132N50P3IXYSMOSFET N-CH 500V 112A SOT227BIXFN130N20IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN120N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 108A SOT227BIXFN120N60A3D1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN140N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 110A SOT-227BIXFN120N20IXYSMOSFET N-CH 200V 120A SOT-227BIXFN140N20IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN110N60P3IXFN100N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที