ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXFN180N15P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXFN180N15P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXFN180N15P
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 4mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | |
ชุด | HiPerFET™, Polar | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 90A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 680W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
บรรจุุภัณฑ์ | Box |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 7000 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 150A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXFN180 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXFN180N15P
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXFN180N15P | IXFN180N20 | IXFN180N07 | IXFN170N30P |
ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 7000 pF @ 25 V | 22000 pF @ 25 V | 9000 pF @ 25 V | 20000 pF @ 25 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 4mA | 4V @ 8mA | 4V @ 8mA | 4.5V @ 1mA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 150A (Tc) | 180A (Tc) | 180A (Tc) | 138A (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 240 nC @ 10 V | 660 nC @ 10 V | 480 nC @ 10 V | 258 nC @ 10 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ชุด | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Polar |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | 200 V | 70 V | 300 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 680W (Tc) | 700W (Tc) | 520W (Tc) | 890W (Tc) |
บรรจุุภัณฑ์ | Box | Tube | Tube | Tube |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 90A, 10V | 10mOhm @ 500mA, 10V | 7mOhm @ 500mA, 10V | 18mOhm @ 85A, 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXFN180 | IXFN180 | IXFN180 | IXFN170 |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXFN180N15P PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXFN180N15P - IXYS
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที