ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXFN23N100
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXFN23N100 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXFN23N100
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 8mA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 600W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1000 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 23A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXFN23 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXFN23N100
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXFN23N100 | IXFN260N17T | IXFN230N20T | IXFN230N10 |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | 6.5mOhm @ 60A, 10V | 7.5mOhm @ 60A, 10V | 6mOhm @ 500mA, 10V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1000 V | 170 V | 200 V | 100 V |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ชุด | - | GigaMOS™ | HiPerFET™, Trench | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXFN23 | IXFN260 | IXFN230 | IXFN230 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 600W (Tc) | 1090W (Tc) | 1090W (Tc) | 700W (Tc) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 23A (Tc) | 245A (Tc) | 220A (Tc) | 230A (Tc) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 8mA | 5V @ 8mA | 5V @ 8mA | 4V @ 8mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXFN23N100 PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXFN23N100 - IXYS
IXFN260N17TIXYSMOSFET N-CH 170V 245A SOT227BIXFN230N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 220A SOT227BIXFN230N10IXYSMOSFET N-CH 100V 230A SOT-227BIXFN22N120IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN250N06IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN24N90QIXYSMOSFET N-CH 900V 24A SOT-227BIXFN210N20IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN20N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227BIXFN24N100FIXYSMOSFET N-CH 1000V 24A SOT227BIXFN210N30X3IXYSMOSFET N-CH 300V 210A SOT227BIXFN240N15T2IXYSMOSFET N-CH 150V 240A SOT227BIXFN24N100IXYSMOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227BIXFN24N90IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN210N30P3IXYSMOSFET N-CH 300V 192A SOT227BIXFN21N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227BIXFN210N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 188A SOT-227BIXFN26N100IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN25N90IXYSMOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที