ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXFP22N65X2M
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXFP22N65X2M คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXFP22N65X2M
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 1.5mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 Isolated Tab | |
ชุด | HiPerFET™, Ultra X2 | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 11A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 37W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2190 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 22A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXFP22 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXFP22N65X2M
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXFP22N65X2M | IXFP22N65X2 | IXFP6N120P | IXFP60N25X3 |
ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | 650 V | 1200 V | 250 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 37W (Tc) | 390W (Tc) | 250W (Tc) | 320W (Tc) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 1.5mA | 5.5V @ 1.5mA | 5V @ 1mA | 4.5V @ 1.5mA |
ชุด | HiPerFET™, Ultra X2 | HiPerFET™, Ultra X2 | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Ultra X3 |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXFP22 | IXFP22 | IXFP6N120 | IXFP60 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 11A, 10V | 160mOhm @ 11A, 10V | 2.4Ohm @ 500mA, 10V | 23mOhm @ 30A, 10V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 22A (Tc) | 22A (Tc) | 6A (Tc) | 60A (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 Isolated Tab | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220AB (IXFP) |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 92 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2190 pF @ 25 V | 2310 pF @ 25 V | 2830 pF @ 25 V | 3610 pF @ 25 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXFP22N65X2M PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXFP22N65X2M - IXYS
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที