ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXFP76N15T2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXFP76N15T2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXFP76N15T2
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
ชุด | HiPerFET™, TrenchT2™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 38A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 350W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 5800 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 97 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 76A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXFP76 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXFP76N15T2
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXFP76N15T2 | IXFR100N25 | IXFP60N25X3 | IXFP34N65X2 |
ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 76A (Tc) | 87A (Tc) | 60A (Tc) | 34A (Tc) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 350W (Tc) | 400W (Tc) | 320W (Tc) | 540W (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-247-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 5800 pF @ 25 V | 9100 pF @ 25 V | 3610 pF @ 25 V | 3330 pF @ 25 V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXFP76 | IXFR100 | IXFP60 | IXFP34 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | 4V @ 8mA | 4.5V @ 1.5mA | 5.5V @ 2.5mA |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 38A, 10V | 27mOhm @ 50A, 10V | 23mOhm @ 30A, 10V | 105mOhm @ 17A, 10V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | 250 V | 250 V | 650 V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 97 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | ISOPLUS247™ | TO-220AB (IXFP) | TO-220-3 |
ชุด | HiPerFET™, TrenchT2™ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Ultra X3 | HiPerFET™, Ultra X2 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXFP76N15T2 PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXFP76N15T2 - IXYS
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที