ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXFX26N120P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXFX26N120P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXFX26N120P
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 6.5V @ 1mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PLUS247™-3 | |
ชุด | HiPerFET™, Polar | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 13A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 960W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 Variant | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 16000 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 225 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1200 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 26A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXFX26 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXFX26N120P
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXFX26N120P | IXFX21N100Q | IXFX32N50 | IXFX24N100F |
ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXFX26 | IXFX21 | IXFX32 | IXFX24 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1200 V | 1000 V | 500 V | 1000 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 Variant | TO-247-3 Variant | TO-247-3 Variant | TO-247-3 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 225 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V | 195 nC @ 10 V |
ชุด | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Q Class | HiPerFET™ | HiPerRF™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 13A, 10V | 500mOhm @ 10.5A, 10V | 150mOhm @ 15A, 10V | 390mOhm @ 12A, 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 6.5V @ 1mA | 5.5V @ 4mA | 4V @ 4mA | 5.5V @ 8mA |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 960W (Tc) | 500W (Tc) | 360W (Tc) | 560W (Tc) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 26A (Tc) | 21A (Tc) | 32A (Tc) | 24A (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PLUS247™-3 | PLUS247™-3 | PLUS247™-3 | PLUS247™-3 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 16000 pF @ 25 V | 6900 pF @ 25 V | 5450 pF @ 25 V | 6600 pF @ 25 V |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±20V | ±20V | ±20V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXFX26N120P PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXFX26N120P - IXYS
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที