ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTH1N250
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTH1N250 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTH1N250
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 40Ohm @ 750mA, 10V | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1660 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 41 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 2500 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.5A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTH1 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTH1N250
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTH1N250 | IXTH20P50P | IXTH20N60 | IXTH200N10T |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 2500 V | 500 V | 600 V | 100 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTH1 | IXTH20 | IXTH20 | IXTH200 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 41 nC @ 10 V | 103 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 152 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1660 pF @ 25 V | 5120 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 9400 pF @ 25 V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) |
| ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 40Ohm @ 750mA, 10V | 450mOhm @ 10A, 10V | 350mOhm @ 10A, 10V | 5.5mOhm @ 50A, 10V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.5A (Tc) | 20A (Tc) | 20A (Tc) | 200A (Tc) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ชุด | - | PolarP™ | MegaMOS™ | Trench |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXTH1N250 PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXTH1N250 - IXYS
IXTH24N45IXYS / LittelfuseIXTH20P50PIXYSMOSFET P-CH 500V 20A TO247IXTH20N60IXYSMOSFET N-CH 600V 20A TO247IXTH200N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 200A TO247IXTH180N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 180A TO247IXTH16P20IXYSMOSFET P-CH 200V 16A TO247IXTH22P15IXYS / LittelfuseIXTH220N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 220A TO247IXTH15N45AIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTH1N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 1.5A TO247IXTH20N50DIXYSMOSFET N-CH 500V 20A TO247IXTH21N50IXYSMOSFET N-CH 500V 21A TO247IXTH15N50L2IXYSMOSFET N-CH 500V 15A TO247IXTH1N450HVIXYSMOSFET N-CH 4500V 1A TO247HVIXTH16N10D2IXYSMOSFET N-CH 100V 16A TO247IXTH160N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 160A TO247IXTH160N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 160A TO247IXTH200N075TIXYSMOSFET N-CH 75V 200A TO247| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที