ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTN36N50
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTN36N50 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTN36N50
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 20mA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 400W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 36A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTN36 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTN36N50
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTN36N50 | IXTN200N10L2 | IXTN21N100 | IXTN30N100L |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 400W (Tc) | 830W (Tc) | 520W (Tc) | 800W (Tc) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | 100 V | 1000 V | 1000 V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 20mA | 4.5V @ 3mA | 4.5V @ 500µA | 5.5V @ 250µA |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | 11mOhm @ 100A, 10V | 550mOhm @ 500mA, 10V | 450mOhm @ 15A, 20V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 36A (Tc) | 178A (Tc) | 21A (Tc) | 30A (Tc) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTN36 | IXTN200 | IXTN21 | IXTN30 |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| ชุด | - | Linear L2™ | MegaMOS™ | Linear |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
IXTN36N50SIIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTN200N10L2IXYSMOSFET N-CH 100V 178A SOT227BIXTN44N50LIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTN21N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 21A SOT227BIXTN30N100LIXYSMOSFET N-CH 1000V 30A SOT227BIXTN60N50L2IXYSMOSFET N-CH 500V 53A SOT227BIXTN79N20IXYSMOSFET N-CH 200V 85A SOT227BIXTN90N25L2IXYSMOSFET N-CH 250V 90A SOT227BIXTN36N150IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTN62N50LIXYSMOSFET N-CH 500V 62A SOT227BIXTN40P50PIXYSMOSFET P-CH 500V 40A SOT227BIXTN17N120LIXYSMOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227BIXTN30N50IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTN600N04T2IXYSMOSFET N-CH 40V 600A SOT227BIXTN24N100IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTN210P10TIXYSMOSFET P-CH 100V 210A SOT227BIXTN550N055T2IXYSMOSFET N-CH 55V 550A SOT227BIXTN22N100LIXYSMOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที