ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTP32P05T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTP32P05T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTP32P05T
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±15V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
ชุด | TrenchP™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 500mA, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 83W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1975 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 32A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTP32 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTP32P05T
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTP32P05T | IXTP42N25P | IXTP2N100 | IXTP240N055T |
ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50 V | 250 V | 1000 V | 55 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 500mA, 10V | 84mOhm @ 500mA, 10V | 7Ohm @ 1A, 10V | 3.6mOhm @ 25A, 10V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 32A (Tc) | 42A (Tc) | 2A (Tc) | 240A (Tc) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1975 pF @ 25 V | 2300 pF @ 25 V | 825 pF @ 25 V | 7600 pF @ 25 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
ชุด | TrenchP™ | Polar | - | TrenchT2™ |
Vgs (สูงสุด) | ±15V | ±20V | ±20V | ±20V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 83W (Tc) | 300W (Tc) | 100W (Tc) | 480W (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภท FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTP32 | IXTP42 | IXTP2 | IXTP240 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXTP32P05T PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXTP32P05T - IXYS
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที