ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTP52P10P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTP52P10P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTP52P10P
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
ชุด | PolarP™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 52A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 300W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2845 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 52A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTP52 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTP52P10P
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTP52P10P | IXTP50N25T | IXTP70N085T | IXTP4N60P |
ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 250 V | 85 V | 600 V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±30V | ±20V | ±30V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | 5V @ 1mA | 4V @ 50µA | 5.5V @ 100µA |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 52A (Tc) | 50A (Tc) | 70A (Tc) | 4A (Tc) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V | 59 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 52A, 10V | 50mOhm @ 25A, 10V | 13.5mOhm @ 25A, 10V | 2Ohm @ 2A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 300W (Tc) | 400W (Tc) | 176W (Tc) | 89W (Tc) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTP52 | IXTP50 | IXTP70 | IXTP4 |
ประเภท FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ชุด | PolarP™ | Trench | TrenchMV™ | PolarHV™ |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2845 pF @ 25 V | 4000 pF @ 25 V | 2570 pF @ 25 V | 635 pF @ 25 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXTP52P10P PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXTP52P10P - IXYS
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที