ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTQ102N20T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTQ102N20T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTQ102N20T
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 1mA | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | |
ชุด | Trench | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 500mA, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 750W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6800 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 114 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 102A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTQ102 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTQ102N20T
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTQ102N20T | IXTP88N085T | IXTP80N10T | IXTQ100N25P |
ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 1mA | 4V @ 100µA | 5V @ 100µA | 5V @ 250µA |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXTQ102 | IXTP88 | IXTP80 | IXTQ100 |
ชุด | Trench | TrenchMV™ | Trench | Polar |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 500mA, 10V | 11mOhm @ 25A, 10V | 14mOhm @ 25A, 10V | 24mOhm @ 50A, 10V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 750W (Tc) | 230W (Tc) | 230W (Tc) | 600W (Tc) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 114 nC @ 10 V | 69 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 185 nC @ 10 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 85 V | 100 V | 250 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-3P |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 102A (Tc) | 88A (Tc) | 80A (Tc) | 100A (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6800 pF @ 25 V | 3140 pF @ 25 V | 3040 pF @ 25 V | 6300 pF @ 25 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXTQ102N20T PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXTQ102N20T - IXYS
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที