ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXTQ180N055T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXTQ180N055T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXTQ180N055T
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 50A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 5800 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 180A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXTQ180N055T
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXTQ180N055T | IXTQ16N50P | IXTQ26N50P | IXTQ130N10T |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 5800 pF @ 25 V | 2250 pF @ 25 V | 3600 pF @ 25 V | 5080 pF @ 25 V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 160 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 104 nC @ 10 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 180A (Tc) | 16A (Tc) | 26A (Tc) | 130A (Tc) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | 300W (Tc) | 400W (Tc) | 360W (Tc) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55 V | 500 V | 500 V | 100 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | TO-3P | TO-3P | TO-3P |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 50A, 10V | 400mOhm @ 8A, 10V | 230mOhm @ 13A, 10V | 9.1mOhm @ 25A, 10V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ชุด | - | Polar | Polar | Trench |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXTQ180N055T PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXTQ180N055T - IXYS
IXTQ16N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 16A TO3PIXTQ26N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 26A TO3PIXTQ130N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 130A TO3PIXTQ140N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 140A TO3PIXTQ200N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 200A TO3PIXTQ200N06PIXYSMOSFET N-CH 60V 200A TO3PIXTQ170N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 170A TO3PIXTQ22N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 22A TO3PIXTQ22N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 22A TO3PIXTQ150N06PIXYSMOSFET N-CH 60V 150A TO3PIXTQ14N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 14A TO3PIXTQ150N15PIXYSMOSFET N-CH 150V 150A TO3PIXTQ200N04TIXYS / LittelfuseIXTQ120N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 120A TO3PIXTQ130N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 130A TO3PIXTQ182N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 182A TO3PIXTQ18N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 18A TO3PIXTQ160N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 160A TO3P| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที