ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IXXN110N65C4H1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - IXXN110N65C4H1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - IXXN110N65C4H1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 650 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.35V @ 15V, 110A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | |
| ชุด | XPT™, GenX4™ | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 750 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 3.69 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | PT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 210 A | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXXN110 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS IXXN110N65C4H1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IXXN110N65C4H1 | APT150GT120JR | CM100MX-12A | IXXN200N60B3 |
| ผู้ผลิต | IXYS | Microchip Technology | Powerex Inc. | IXYS |
| ประเภท IGBT | PT | NPT | - | PT |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 210 A | 170 A | 100 A | 280 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 3.69 nF @ 25 V | 9.3 nF @ 25 V | 11.3 nF @ 10 V | 9.97 nF @ 25 V |
| กทช Thermistor | No | No | Yes | No |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50 µA | 150 µA | 1 mA | 50 µA |
| ชุด | XPT™, GenX4™ | Thunderbolt IGBT® | - | XPT™, GenX3™ |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.35V @ 15V, 110A | 3.7V @ 15V, 150A | 2.1V @ 15V, 100A | 1.7V @ 15V, 100A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IXXN110 | APT150 | - | IXXN200 |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 650 V | 1200 V | 600 V | 600 V |
| องค์ประกอบ | Single | Single | Three Phase Inverter with Brake | Single |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 750 W | 830 W | 400 W | 940 W |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | ISOTOP® | Module | SOT-227B |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP | Module | SOT-227-4, miniBLOC |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| อินพุต | Standard | Standard | Three Phase Bridge Rectifier | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXXN110N65C4H1 PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ IXXN110N65C4H1 - IXYS
IXXH40N65B4H1IXYSIGBT 650V 120A 455W TO247ADAPT150GT120JRMicrochip TechnologyIGBT MOD 1200V 170A 830W ISOTOPIXXH30N60C3D1IXYSIGBT 600V 60A 270W TO247CM100MX-12APowerex Inc.IGBT MOD 600V 100A 400WIXXH60N65B4H1IXYSIGBT 650V 116A 380W TO247ADIXXN200N60B3IXYSIGBT MOD 600V 280A 940W SOT227BIXXH30N60B3IXYSIGBT 600V TO247IXXN110N65B4H1IXYSIGBT MOD 650V 215A 750W SOT227BIXXH80N65B4IXYSIGBT 650V 160A 625W TO247ADIXXH50N60C3D1IXYSIGBT 600V 100A 600W TO247ADIXXH30N60B3D1IXYSIGBT 600V 60A 270W TO247IXXN100N60B3H1IXYSIGBT MOD 600V 170A 500W SOT227BIXXH80N65B4H1IXYSIGBT 650V 160A 625W TO247ADIXXN200N60B3H1IXYSIGBT MOD 600V 200A 780W SOT227BAPT35GT120JU2Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 55A 260W SOT227APT75GT120JRDQ3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 97A 480W ISOTOPIXXH75N60C3D1IXYSIGBT 600V 150A 750W TO247IXXH75N60B3D1IXYSIGBT 600V 160A 750W TO247| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที