ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MIO1200-25E10
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - MIO1200-25E10 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - MIO1200-25E10
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 2500 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 1200A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | E10 | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | E10 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
| กทช Thermistor | No |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 186 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 120 mA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1200 A | |
| องค์ประกอบ | Single Switch | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MIO |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS MIO1200-25E10
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MIO1200-25E10 | MKI50-12E7 | MIO2400-17E10 | MWI75-12T7T |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 1200A | 2.4V @ 15V, 50A | 2.6V @ 15V, 2400A | 2.15V @ 15V, 75A |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| กทช Thermistor | No | No | No | Yes |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 186 nF @ 25 V | 3.8 nF @ 25 V | 230 nF @ 25 V | 5.35 nF @ 25 V |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 2500 V | 1200 V | 1700 V | 1200 V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1200 A | 90 A | 2400 A | 110 A |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 120 mA | 800 µA | 120 mA | 4 mA |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | E10 | E2 | E10 | E2 |
| องค์ประกอบ | Single Switch | Full Bridge Inverter | Single Switch | Three Phase Inverter |
| ประเภท IGBT | NPT | NPT | NPT | Trench |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MIO | MKI | MIO | MWI75 |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | E10 | E2 | E10 | E2 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Box | Box |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MIO1200-25E10 PDF และเอกสาร IXYS สำหรับ MIO1200-25E10 - IXYS
MKI50-12E7IXYSIGBT MODULE 1200V 90A 350W E2MIO2400-17E10IXYSIGBT MODULE 1700V 2400A E10MWI75-12T7TIXYSIGBT MODULE 1200V 110A 355W E2IXSN50N60BD2IXYSIGBT MOD 600V 75A 250W SOT227BMIOV976F-50TKOKIIXGN50N60BD3IXYSIGBT MOD 600V 75A 250W SOT227BMIO1200-33E11IXYSIGBT MODULE 3300V 1200A E11
APTGF150H120GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 200A 961W SP6
FF100R12MT4Infineon TechnologiesIGBT MODULE
CM600DY-24SPowerex Inc.IGBT MOD 1200V 600A 4050W
APT150GN60JDQ4Microchip TechnologyIGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOPVWI35-06P1IXYSIGBT MOD 600V 31A 100W ECO-PAC2MIO1200-33E10IXYSIGBT MODULE 3300V 1200A E10
FMG2G300US60EonsemiIGBT MODULE 600V 300A 892W 7PMHAMIOS2250-018OKI
FMG2G300US60EFairchild SemiconductorIGBT, 300A, 600V, N-CHANNELMUBW10-12A7IXYSIGBT MODULE 1200V 20A 105W E2CM50DY-12HPowerex Inc.IGBT MODULE 600V 50A 250W| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที