ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี N2900QL020
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - N2900QL020 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - N2900QL020
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 1.47 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 200 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 3 V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | WP6 | |
| ชุด | - | |
| ประเภท SCR | Standard Recovery | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-200AB, B-PuK | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 5520 A | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 2900 A | |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 100 mA | |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 30800A @ 50Hz | |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 1 A | |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 300 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | N2900 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS N2900QL020
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | N2900QL020 | 2N6397G | VS-70TPS12PBF | C137M |
| ผู้ผลิต | IXYS | Littelfuse Inc. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Bulk | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 1.47 V | 2.2 V | 1.4 V | 2.3 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | WP6 | TO-220AB | SUPER-247™ (TO-274AA) | TO-48 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-200AB, B-PuK | TO-220-3 | TO-274AA | TO-208AA, TO-48-3, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 200 V | 400 V | 1.2 kV | - |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 5520 A | 12 A | 75 A | - |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 1 A | 50 mA | 200 mA | - |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 300 mA | 30 mA | 100 mA | 40 mA |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 30800A @ 50Hz | 100A @ 60Hz | 1400A @ 50Hz | 160A |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 100 mA | 10 µA | 1 mA | - |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 2900 A | - | 70 A | 22.3 A |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 3 V | 1.5 V | 1.5 V | 2.2 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | N2900 | 2N6397 | 70TPS12 | - |
| ประเภท SCR | Standard Recovery | Standard Recovery | Standard Recovery | Standard Recovery |
N29F800B3BIntel2N6397GLittelfuse Inc.SCR 400V 12A TO220ABVS-70TPS12PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionSCR 1.2KV 75A SUPER-247C137MSolid State Inc.SCR 35 AMP 600V TO-48
MCR706AT4GLittelfuse Inc.SCR 400V 4A DPAKVS-70TPS16PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionSCR 1.6KV 75A SUPER-247
X0202NN 5BA4STMicroelectronicsSCR 800V 1.25A SOT223
S602BS2RPLittelfuse Inc.SCR 600V 1.5A SOT89
C390MX555Powerex Inc.SCR 600V 925A PRESS-PAKN2910 SR1LWIntel
MCR106-6GLittelfuse Inc.SCR 400V 4A TO225AAN299P18412ALPS
N2900QL060IXYSSCR 600V 5520A WP6
5P4J-AZRenesas Electronics America IncSILICON CONTROLLED RECTIFIERN2930 SR1W3IntelN299P19710ALPSN2900QL040IXYSSCR 400V 5520A WP6
TYN816RGSTMicroelectronicsSCR 800V 16A TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที