ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี W4693QK050
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - W4693QK050 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - W4693QK050
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 3000 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 500 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | WD2 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 15.5 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-200AB, B-PUK | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 180°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Clamp On | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 mA @ 500 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4693A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | W4693 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS W4693QK050
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | W4693QK050 | SBAS16LT3G | SSA24HE3/5AT | 16F60 |
| ผู้ผลิต | IXYS | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 mA @ 500 V | 1 µA @ 100 V | 200 µA @ 40 V | 10 µA @ 600 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 500 V | 100 V | 40 V | 600 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 2pF @ 0V, 1MHz | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | WD2 | SOT-23-3 (TO-236) | DO-214AC (SMA) | DO-4 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Schottky | Standard |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | W4693 | SBAS16 | SSA24 | - |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4693A | 200mA | 2A | 16A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 15.5 µs | 6 ns | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 3000 A | 1.25 V @ 150 mA | 490 mV @ 2 A | 1.2 V @ 16 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-200AB, B-PUK | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DO-214AC, SMA | DO-203AA, DO-4, Stud |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 180°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Clamp On | Surface Mount | Surface Mount | Stud Mount |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
SBAS16LT3GonsemiDIODE GP 100V 200MA SOT23-3SSA24HE3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC16F60Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 16A DO4NTE5824NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 12A DO4W4693QR050WESTCODEIGBT Module
1N3290RVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 100A DO205AA
DA2J10100LRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI2
1N5407RLGonsemiDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL301UR80Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 330A DO205AB
W4693QK080IXYSDIODE GEN PURP 800V 4693A WD2
1N1436RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5
1N4056Microchip TechnologyDIODE GP 1KV 275A DO205AB DO9
ES3F-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 3A DO214ABNTE5943NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 15A DO5W4693QR080WESTCODEIGBT ModuleVS-45EPS12L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD
R6100825XXYZPowerex Inc.DIODE GP 800V 250A DO205AB DO9RURD460S9AonsemiDIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที