ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี W4767MC220
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - W4767MC220 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - W4767MC220
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 3000 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 2200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | W54 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 26 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-200AC, K-PUK | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Clamp On | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 mA @ 2200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4755A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | W4767 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS W4767MC220
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | W4767MC220 | STPSC4H065B-TR | 1N3664 | VS-30ETU12T-N3 |
| ผู้ผลิต | IXYS | STMicroelectronics | Microchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 26 µs | 0 ns | - | 220 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-200AC, K-PUK | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DO-208AA | TO-220-2 |
| ชุด | - | - | - | FRED Pt® |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 mA @ 2200 V | 40 µA @ 650 V | 10 µA @ 500 V | 145 µA @ 1200 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 200pF @ 0V, 1MHz | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 2200 V | 650 V | 500 V | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4755A | 4A | 35A | 30A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | W4767 | STPSC4 | - | 30ETU12 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 3000 A | 1.75 V @ 4 A | 1.1 V @ 35 A | 2.68 V @ 30 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Clamp On | Surface Mount | Press Fit | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | W54 | DPAK | DO-21 | TO-220AC |
W4713HM300WESTCODEIGBT ModuleW4713HL300WESTCODEIGBT ModuleSTPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK1N3664Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 35A DO21W4713HM350WESTCODEIGBT ModuleVS-30ETU12T-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 30A TO220AC
SS3P6-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AAS4280Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 125A DO205AA
STTH30R04DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 400V 30A TO220ACW4767MC180WESTCODEIGBT Module
1N1664RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 275A DO9W4713HL350WESTCODEIGBT Module
1N4937Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1A AXIALNTE5897NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 16A DO4
40HF140Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 40A DO5
US1A-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 1A SMA
SBR8U60P5Q-13DDiodes IncorporatedDIODE SBR 60V 8A POWERDI5 T&R
MSS1P3-M3/89AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 1A MICROSMP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที