ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี W4767MC220
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - W4767MC220 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - W4767MC220
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 3000 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 2200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | W54 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 26 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-200AC, K-PUK | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Clamp On | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 mA @ 2200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4755A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | W4767 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS W4767MC220
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | W4767MC220 | ES3B-13 | MMSD301T1 | LXA08T600 |
| ผู้ผลิต | IXYS | Diodes Incorporated | onsemi | Power Integrations |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 26 µs | 25 ns | - | 34 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | - | 150°C (Max) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-200AC, K-PUK | DO-214AB, SMC | - | TO-220-2 |
| ชุด | - | - | - | Qspeed™ |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 mA @ 2200 V | 10 µA @ 100 V | - | 250 µA @ 600 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 45pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | - | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 2200 V | 100 V | - | 600 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4755A | 3A | - | 8A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | W4767 | ES3B | MMSD30 | LXA08 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 3000 A | 900 mV @ 3 A | - | 2.94 V @ 8 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Clamp On | Surface Mount | - | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | W54 | SMC | - | TO-220AC |
ES3B-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 3A SMCMMSD301T1onsemiDIODE SCHOTTKY 225MW 30V SOD123LXA08T600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
VS-EPU6006L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 600V 30A TO247AC
STPS1150AYSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 150V 1A SMAW4713HM300WESTCODEIGBT Module
F1857D400Sensata-CrydomDIODE GEN PURP 400V 55A MODULEBAT42WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
UF4004onsemiDIODE GEN PURP 400V 1A DO41W4713HL300WESTCODEIGBT Module
MA2J7280GLPanasonic Electronic ComponentsDIODE SCHOTT 30V 30MA SMINI2-F3UF4005onsemiDIODE GEN PURP 600V 1A DO41W4713HL350WESTCODEIGBT Module
1N4150TRonsemiDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
150KR100AGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 1KV 150A DO205AA
SS2PH10HM3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 2A DO220AA
MUR480ERLGonsemiDIODE GEN PURP 800V 4A AXIAL
1N4052Microchip TechnologyDIODE GP 600V 275A DO205AB DO9| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที