ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี W5984TE400
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ IXYS - W5984TE400 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ IXYS - W5984TE400
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | IXYS Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 5000 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 4000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | W94 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 47 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-200AE | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 160°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 mA @ 4000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 5984A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | W5984 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ IXYS W5984TE400
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | W5984TE400 | W5984TJ400 | CMOSH2-4L TR PBFREE | SB260-E3/73 |
| ผู้ผลิต | IXYS | IXYS | Central Semiconductor Corp | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 47 µs | 47 µs | 5 ns | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 5000 A | 1.25 V @ 5000 A | 500 mV @ 200 mA | 680 mV @ 2 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-200AE | DO-200AE | SC-79, SOD-523 | DO-204AC, DO-15, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 4000 V | 4000 V | 40 V | 60 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 5984A | 5984A | 200mA | 2A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | W5984 | W5984 | CMOSH2 | SB260 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Schottky | Schottky |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | W94 | W89 | SOD-523 | DO-204AC (DO-15) |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 mA @ 4000 V | 100 mA @ 4000 V | 50 µA @ 20 V | 500 µA @ 60 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Surface Mount | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 160°C | -40°C ~ 160°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
W5984TJ400IXYSDIODE GEN PURP 4KV 5984A W89CMOSH2-4L TR PBFREECentral Semiconductor CorpDIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD523SB260-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 2A DO204AC
W59EGWKingbright
DB3S314K0LPanasonic Electronic ComponentsDIODE SCHOT 30V 30MA SSMINI3
STPS5H100HSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 100V 5A TO251
PMEG4010BEA,115Nexperia USA Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
HSM123JTR-ERenesasHSM123 - RECTIFIER DIODE, 2 ELEM
1N3142Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 100A DO8
DPG60IM300PCIXYS CorporationDIODE GEN PURP 300V 60A TO263
CTS521,L3FToshiba Semiconductor and StorageDIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2W5984TE360IXYSDIODE GEN PURP 3.6KV 5984A W94
B560CQ-13-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 60V 5A SMCSM4007Diotec SemiconductorDIODE GP 1KV 1A MELF DO-213ABM1022LC120IXYSDIODE GEN PURP 1.2KV 1022A W4W5984TJ360IXYSDIODE GEN PURP 3.6KV 5984A W89
1N2287Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 40A DO5M0914LC200IXYSDIODE GEN PURP 2KV 914A W4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที