ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IS43LR16640A-6BLI
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43LR16640A-6BLI คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43LR16640A-6BLI
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 15ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 60-TWBGA (8x10) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 60-TFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64M x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 166 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IS43LR16640 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 5 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640A-6BLI
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IS43LR16640A-6BLI | IS43LR16640A-6BL | IS43LR16320B-6BLI | IS43LR16640A-5BLI |
| ผู้ผลิต | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | 1.7V ~ 1.95V | 1.7V ~ 1.95V | 1.7V ~ 1.95V |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Gbit | 1Gbit | 512Mbit | 1Gbit |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IS43LR16640 | IS43LR16640 | IS43LR16320 | IS43LR16640 |
| ชุด | - | - | - | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR | SDRAM - Mobile LPDDR | SDRAM - Mobile LPDDR | SDRAM - Mobile LPDDR |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64M x 16 | 64M x 16 | 32M x 16 | 64M x 16 |
| ความถี่นาฬิกา | 166 MHz | 166 MHz | 166 MHz | 200 MHz |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 60-TFBGA | 60-TFBGA | 60-TFBGA | 60-TFBGA |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 60-TWBGA (8x10) | 60-TWBGA (8x10) | 60-TFBGA (8x10) | 60-TWBGA (8x10) |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 15ns | 15ns | 12ns | 15ns |
| เวลาในการเข้าถึง | 5 ns | 5 ns | 5.5 ns | 5 ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IS43LR16640A-6BLI PDF และเอกสาร ISSI, Integrated Silicon Solution Inc สำหรับ IS43LR16640A-6BLI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGAIS43LR16320B-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGAIS43LR16640A-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR32160C-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGAIS43LR32160B-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGAIS43LR16320C-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGAIS43LR16800G-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGAIS43LR16160G-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGAIS43LR16160F-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGAIS43LR16800F-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGAIS43LR32400F-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGAIS43LR16160G-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16,IS43LR32320B-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 1GBIT PARALLEL 90LFBGA
IS43LQ16256A-062BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 4GBIT PARALLEL 200VFBGAIS43LR16800G-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGAIS43LR16640A-5BLISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGAIS43LR16800F-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที