ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HFA1100IBZ
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Intersil - HFA1100IBZ คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Intersil - HFA1100IBZ
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Intersil (Renesas Electronics Corporation) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (ขั้นต่ำ) | 4.5 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (สูงสุด) | 11 V | |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท | 2 mV | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| อัตราสลูว์ | 2300V/µs | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทขาออก | - | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C | |
| จำนวนแผงวงจร | 1 | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - อุปทาน | 21mA | |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 60 mA | |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล | 25 µA | |
| ประเภทเครื่องขยาย | Current Feedback | |
| -3dB แบนด์วิดธ์ | 850 MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Intersil HFA1100IBZ
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HFA1100IBZ | HFA1100IB | HFA1103IB | HFA1100IP |
| ผู้ผลิต | Intersil | Harris Corporation | Intersil | Renesas Electronics America Inc |
| -3dB แบนด์วิดธ์ | 850 MHz | 850 MHz | 200 MHz | 850 MHz |
| ประเภทเครื่องขยาย | Current Feedback | Current Feedback | Current Feedback | Current Feedback |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 60 mA | 60 mA | 60 mA | 60 mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (ขั้นต่ำ) | 4.5 V | 4.5 V | 9 V | 4.5 V |
| ประเภทขาออก | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-PDIP |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท | 2 mV | 2 mV | 10 mV | 2 mV |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| ปัจจุบัน - อุปทาน | 21mA | 21mA | 11mA | 21mA |
| อัตราสลูว์ | 2300V/µs | 2300V/µs | 600V/µs | 2300V/µs |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (สูงสุด) | 11 V | 11 V | 11 V | 11 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล | 25 µA | 25 µA | 5 µA | 25 µA |
| จำนวนแผงวงจร | 1 | 1 | 1 | 1 |
HFA1100IBHarris CorporationIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8SOICHFA1100MJ/883Intersil (Renesas Electronics Corporation)HFA1103IBIntersilIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8SOICHFA1100IPRenesas Electronics America IncIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8DIP
HFA1100IBRenesas Electronics America IncIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8SOICHFA08TB60SPBFIR
HFA105NH60Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 105A D-67HFA1102IJHARHFA1100IPIntersilIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8DIPHFA100MD60DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE MODULE 600V 83A TO244ABHFA105NH60RVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 105A D-67HFA1102IBHarris CorporationIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8SOICHFA100MD60CVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE MODULE 600V 83A TO244ABHFA1100IBZRenesas Electronics America IncIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8SOICHFA1100IJHarris CorporationIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8CERDIP
HFA08TB60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO263ABHFA1100IPHarris CorporationIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8DIPHFA08TB60STRLVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที