ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NJM082BM-TE1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Nisshinbo Micro Devices Inc. - NJM082BM-TE1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Nisshinbo Micro Devices Inc. - NJM082BM-TE1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | JRC (Nisshinbo Micro Devices) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (ขั้นต่ำ) | 8 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (สูงสุด) | 36 V | |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท | 5 mV | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-DMP | |
| อัตราสลูว์ | 13V/µs | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.197", 5.00mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทขาออก | - | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C | |
| จำนวนแผงวงจร | 2 | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| กำไร Bandwidth สินค้า | 3 MHz | |
| ปัจจุบัน - อุปทาน | 3mA | |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล | 30 pA | |
| ประเภทเครื่องขยาย | J-FET |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | OBSOLETE |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM082BM-TE1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NJM082BM-TE1 | NJM082L | NJM082BL | NJM082M |
| ผู้ผลิต | Nisshinbo Micro Devices Inc. | Nisshinbo Micro Devices Inc. | Nisshinbo Micro Devices Inc. | Nisshinbo Micro Devices Inc. |
| อัตราสลูว์ | 13V/µs | 13V/µs | 13V/µs | 13V/µs |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล | 30 pA | 30 pA | 30 pA | 30 pA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.197", 5.00mm Width) | 8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-SOIC (0.197", 5.00mm Width) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tube |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ประเภทขาออก | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - อุปทาน | 3mA | 3mA | 3mA | 3mA |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท | 5 mV | 5 mV | 5 mV | 5 mV |
| ประเภทเครื่องขยาย | J-FET | J-FET | J-FET | J-FET |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (ขั้นต่ำ) | 8 V | 8 V | 8 V | 8 V |
| จำนวนแผงวงจร | 2 | 2 | 2 | 2 |
| กำไร Bandwidth สินค้า | 3 MHz | 5 MHz | 3 MHz | 5 MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ช่วงจ่าย (สูงสุด) | 36 V | 36 V | 36 V | 36 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-DMP | 8-SSOP | 8-SSOP | 8-DMP |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NJM082BM-TE1 PDF และเอกสาร Nisshinbo Micro Devices Inc. สำหรับ NJM082BM-TE1 - Nisshinbo Micro Devices Inc.
NJM074V-TE1JRCNJM074M-TE2JRCNJM082LNisshinbo Micro Devices Inc.IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SSOPNJM082BLNisshinbo Micro Devices Inc.IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SSOPNJM082MNisshinbo Micro Devices Inc.IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DMPNJM074M-TE1JRC
NJM082BDNisshinbo Micro Devices Inc.IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIPNJM082CAG-TE2JRCNJM082CG-TE2JRCNJM082DNisshinbo Micro Devices Inc.IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIPNJM082BVJRCNJM082BV-TE1Nisshinbo Micro Devices Inc.IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SSOP
NJM074MNisshinbo Micro Devices Inc.IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14DMPNJM082BMNisshinbo Micro Devices Inc.IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DMP
NJM074DNisshinbo Micro Devices Inc.IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14DIPNJM082BM-TE2Nisshinbo Micro Devices Inc.IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DMPNJM082BMAJRCNJM074VJRC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที