ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BR24G512-3A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - BR24G512-3A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - BR24G512-3A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 5ms | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | EEPROM | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-DIP-T | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 512Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | I²C | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | |
| ความถี่นาฬิกา | 1 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BR24G512 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor BR24G512-3A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BR24G512-3A | BR24G512FJ-3AGTE2 | BR24G32NUX-3TTR | BR24G64FJ-3GTE2 |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-UFDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-DIP-T | 8-SOP-J | VSON008X2030 | 8-SOP-J |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | I²C | I²C | I²C | I²C |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 5.5V | 1.7V ~ 5.5V | 1.6V ~ 5.5V | 1.6V ~ 5.5V |
| เทคโนโลยี | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BR24G512 | BR24G512 | BR24G32 | BR24G64 |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64K x 8 | 64K x 8 | 4K x 8 | 8K x 8 |
| ความถี่นาฬิกา | 1 MHz | 1 MHz | 400 kHz | 400 kHz |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 5ms | 5ms | 5ms | 5ms |
| ขนาดหน่วยความจำ | 512Kbit | 512Kbit | 32Kbit | 64Kbit |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BR24G512-3A PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ BR24G512-3A - Rohm Semiconductor
BR24G32FVTLAPIS TechnologyBR24G512FJ-3AGTE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOPJBR24G32NUX-3TTRRohm SemiconductorIC EEPROM 32KBIT VSON008X2030BR24G64FJ-3GTE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ
BR24G32FVM-3GTTRRohm SemiconductorIC EEPROM 32KBIT I2C 8MSOP
BR24G512FVT-3AGE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOPB
BR24G512F-3AGTE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOPBR24G64FVM-3GTTRRohm SemiconductorIC EEPROM 64KBIT I2C 8MSOPBR24G32FVT-3AGE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOPBBR24G32FVT-3GE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOPBR24G32FJ-3GTSZE2LAPIS TechnologyBR24G32FJ-WE2LAPIS TechnologyBR24G32FJ-3GTE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 32KBIT I2C 8SOPJBR24G32NUX-3BTRLAPIS TechnologyBR24G64FVT-3AGELAPIS TechnologyBR24G64FJ-3AGTE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOPJBR24G32FVT-WE2LAPIS TechnologyBR24G64FVM-3AGTTRRohm SemiconductorIC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8MSOP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที