ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BR93G56FVJ-3GTE2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - BR93G56FVJ-3GTE2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - BR93G56FVJ-3GTE2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 5ms | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | EEPROM | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TSSOP-BJ | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256 x 8, 128 x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Microwire | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | |
| ความถี่นาฬิกา | 3 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BR93G56 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor BR93G56FVJ-3GTE2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BR93G56FVJ-3GTE2 | BR93H46RFVM-2CTR | BR93G86FJ-3GTE2 | BR93G66NUX-3TTR |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Kbit | 1Kbit | 16Kbit | 4Kbit |
| ความถี่นาฬิกา | 3 MHz | 2 MHz | 3 MHz | 3 MHz |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q100 | - | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256 x 8, 128 x 16 | 64 x 16 | 2K x 8, 1K x 16 | 256 x 16 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TSSOP-BJ | 8-MSOP | 8-SOP-J | VSON008X2030 |
| เทคโนโลยี | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BR93G56 | BR93H46 | BR93G86 | BR93G66 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Microwire | Microwire | Microwire | Microwire |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-UFDFN Exposed Pad |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 5.5V | 2.5V ~ 5.5V | 1.7V ~ 5.5V | 1.7V ~ 5.5V |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 5ms | 4ms | 5ms | 5ms |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BR93G56FVJ-3GTE2 PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ BR93G56FVJ-3GTE2 - Rohm Semiconductor
BR93G86RFJ-WE2LAPIS TechnologyBR93A66RFLAPIS TechnologyBR93H46RFVM-2CTRRohm SemiconductorIC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8MSOPBR93C56FV-WE2LAPIS TechnologyBR93G86FJ-3GTE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOPJBR93G66NUX-3TTRRohm SemiconductorIC EEPROM 4KBIT SPI VSON008X2030
BR93A66RFVT-WME2Rohm SemiconductorIC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8TSSOPBBR93A86RF-WE2LAPIS TechnologyBR93G66FJ-3GTE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 4KBIT SPI 3MHZ 8SOPJBR93G46FJ-3AGTE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 1KBIT SPI 3MHZ 8SOPJBR93G56NUX-3ATTRRohm SemiconductorIC EEPROM 2KBIT SPI VSON008X2030BR93G66RFJ-WE2LAPIS TechnologyBR93A66RF-WE2LAPIS TechnologyBR93C46-WMN6TPLAPIS TechnologyBR93G86FVM-3GTTRRohm SemiconductorIC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8MSOPBR93CS46FLAPIS Technology
BR93C46-10SU-1.8NABR93G86RF-WE2LAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที