ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MMBZ33VALT116
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - MMBZ33VALT116 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - MMBZ33VALT116
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 26V (Max) | |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 46V | |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 31.35V | |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 2 | |
| ชนิด | Zener | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SSD3 | |
| ชุด | - | |
| การป้องกันสายไฟ | No |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| พลังงาน - Peak Pulse | 40W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 870mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | 34pF @ 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMBZ33 | |
| การประยุกต์ใช้งาน | General Purpose |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor MMBZ33VALT116
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MMBZ33VALT116 | MMBZ33VALQ-7-F | MMBZ33VAL-7-F | MMBZ33VALT1G |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | onsemi |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 870mA | - | 870mA | 870mA |
| การป้องกันสายไฟ | No | - | No | No |
| พลังงาน - Peak Pulse | 40W | - | 40W | 40W |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชนิด | Zener | - | Zener | Zener |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | - | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| การประยุกต์ใช้งาน | General Purpose | - | General Purpose | General Purpose |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 2 | - | 2 | 2 |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 46V | - | 46V | 46V |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 31.35V | - | 31.35V | 31.35V |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 26V (Max) | - | 26V | 26V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMBZ33 | - | MMBZ33 | MMBZ33 |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | 34pF @ 1MHz | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SSD3 | - | SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MMBZ33VALT116 PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ MMBZ33VALT116 - Rohm Semiconductor
MMBZ33VALQ-7-FDiodes IncorporatedIC TRANSISTOR ARRAY SMD
MMBZ4619-V-GS08Electro-Films (EFI) / VishayMMBZ4620Electro-Films (EFI) / Vishay
MMBZ33VCLFreescale / NXP SemiconductorsMMBZ4617-GS18Electro-Films (EFI) / Vishay
MMBZ3V3LT1GAMI Semiconductor/onsemiMMBZ33VAL/DG/B2Freescale / NXP SemiconductorsMMBZ4252T1GAMI Semiconductor/onsemi
MMBZ33VAL,215Nexperia
MMBZ33VALNexperia USA Inc.MMBZ33VAL - LOW CAPACITANCE UNIDMMBZ33VAL-7-FDiodes IncorporatedTVS DIODE 26VWM 46VC SOT23
MMBZ33ALT1GMMBZ2V0AMI Semiconductor/onsemiMMBZ33VALT1GonsemiTVS DIODE 26VWM 46VC SOT23-3MMBZ33VALT3G 33VAMI Semiconductor/onsemiMMBZ4119B-8DTAITRONMMBZ33VAL-7Diodes IncorporatedTVS DIODE 26VWM 46VC SOT23MMBZ33VASHIKUES| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที