ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RB228T100
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RB228T100 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RB228T100
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 870 mV @ 5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220FN | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 30A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RB228 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RB228T100
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RB228T100 | RB238NS100FHTL | RB225NS-40FHTL | RB225T-60 |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 30A | 40A | 30A | 15A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 Full Pack |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220FN | LPDS | LPDS | TO-220FN |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RB228 | RB238 | RB225 | RB225 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 40 V | 60 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 µA @ 100 V | 20 µA @ 100 V | 500 µA @ 40 V | 600 µA @ 60 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 870 mV @ 5 A | 860 mV @ 20 A | 630 mV @ 15 A | 630 mV @ 15 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
RB238NS100FHTLRohm SemiconductorDIODE (RECTIFIER FRD) 100V-VR 40RB238NS150 FH TLLAPIS TechnologyRB225T-100LAPIS TechnologyRB24L02FV-WE2RHOHMRB225NS-40FHTLRohm SemiconductorDIODE (RECTIFIER FRD) 40V-VRM 40RB225T-60Rohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220FNRB215T-90Rohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 90V TO220FNRB225NS-40 TLLAPIS TechnologyRB225T100Rohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 110V TO220FRB238NS150FHTLRohm SemiconductorDIODE (RECTIFIER FRD) 150V-VR 40
RB225NS-40TLRohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V LPDSRB228NS100FHTLRohm SemiconductorDIODE (RECTIFIER FRD) 100V-VR 30RB218NS150FHTLRohm SemiconductorSCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101RB2310CIPRBRB228NS100FH TLLAPIS TechnologyRB228NS100 FH TLLAPIS TechnologyRB24G64FJ-3GTE2LAPIS TechnologyRB264M-400TRLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที