ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RDD020N60TL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RDD020N60TL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RDD020N60TL
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | CPT3 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 20W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RDD020 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RDD020N60TL
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | RDD020N60TL | FDD6682 | RJK1056DPB-00#J5 | STL4N80K5 |
ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | onsemi | Renesas Electronics America Inc | STMicroelectronics |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | SC-100, SOT-669 | 8-PowerVDFN |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | 3V @ 250µA | - | 5V @ 100µA |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±20V | ±20V | ±30V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 20W (Tc) | 71W (Ta) | 65W (Tc) | 38W (Tc) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | 6.2mOhm @ 17A, 10V | 14mOhm @ 12.5A, 10V | 2.5Ohm @ 1.5A, 10V |
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | CPT3 | TO-252AA | LFPAK | PowerFlat™ (5x6) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | 10V | 10V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Ta) | 75A (Ta) | 25A (Ta) | 2.5A (Tc) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 30 V | 100 V | 800 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RDD020 | FDD668 | RJK1056 | STL4N80 |
ชุด | - | PowerTrench® | - | SuperMESH5™ |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RDD020N60TL PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ RDD020N60TL - Rohm Semiconductor
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที