ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RDN100N20
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RDN100N20 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RDN100N20
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220FN | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 35W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 543 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RDN100 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RDN100N20
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
|
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | RDN100N20 | RDN080N25FU6 | IXTA52P10P | IRFD9120PBF |
ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | IXYS | Vishay Siliconix |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 543 pF @ 10 V | 543 pF @ 10 V | 2845 pF @ 25 V | 390 pF @ 25 V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±20V | ±20V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220FN | TO-220FN | TO-263AA | 4-HVMDIP |
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Ta) | 8A (Ta) | 52A (Tc) | 1A (Ta) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5A, 10V | 500mOhm @ 4A, 10V | 50mOhm @ 52A, 10V | 600mOhm @ 600mA, 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RDN100 | RDN080 | IXTA52 | IRFD9120 |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 250 V | 100 V | 100 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 35W (Tc) | 35W (Tc) | 300W (Tc) | 1.3W (Ta) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ชุด | - | - | PolarP™ | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RDN100N20 PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ RDN100N20 - Rohm Semiconductor
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที