ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFN1LAM6STR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RFN1LAM6STR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RFN1LAM6STR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.45 V @ 800 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PMDTM | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-128 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 800mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN1LAM6 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RFN1LAM6STR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFN1LAM6STR | RFN1L6STE25 | RFN20TF6SC9 | RFN20TF6S |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-128 | DO-214AC, SMA | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 800mA | 800mA | 20A | 20A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN1LAM6 | RFN1L6 | RFN20 | RFN20 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | 1 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.45 V @ 800 mA | 1.45 V @ 800 mA | 1.55 V @ 20 A | 1.55 V @ 20 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C | 150°C (Max) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PMDTM | PMDS | TO-220NFM | TO-220NFM |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 35 ns | 60 ns | 60 ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RFN1LAM6STR PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ RFN1LAM6STR - Rohm Semiconductor
RFN1L7S-TE25LAPIS TechnologyRFN1L7SFJ-TE25LAPIS TechnologyRFN25TM4SW FF65LAPIS TechnologyRFN1LAM7SLAPIS TechnologyRFN25TM4SWLAPIS TechnologyRFN1L6SLAPIS TechnologyRFN1L6STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 800MA PMDSRFN20T2DLAPIS TechnologyRFN1L7SLAPIS TechnologyRFN20TF6SC9Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFMRFN1LAM6SLAPIS TechnologyRFN20TF6SRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFMRFN20TJ6SLAPIS TechnologyRFN20NS3SWLAPIS TechnologyRFN1LP6SLAPIS TechnologyRFN1L6SFJLAPIS Technology
RFN12TJ6SROHM1RFN1L6S-TE25LAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที