ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFU02VSM6STR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RFU02VSM6STR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RFU02VSM6STR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.2 V @ 200 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMD2SM | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFU02 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RFU02VSM6STR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFU02VSM6STR | RFUH10TF6S | RFU02VSM8STR | RFUH20TF6S |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.2 V @ 200 mA | 2.8 V @ 10 A | 3 V @ 200 mA | 2.8 V @ 20 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TUMD2SM | TO-220NFM | TUMD2SM | TO-220NFM |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFU02 | RFUH10 | RFU02 | RFUH20 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz | - | 4pF @ 0V, 1MHz | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 800 V | 600 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 10A | 200mA | 20A |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 800 V | 10 µA @ 600 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns | 25 ns | 25 ns | 35 ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead | TO-220-2 | 2-SMD, Flat Lead | TO-220-2 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RFU02VSM6STR PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ RFU02VSM6STR - Rohm Semiconductor
RFU02VS6SGJTRLAPIS TechnologyRFUH10TF6SRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFMRFU02VS8SGTRLAPIS TechnologyRFU20TM5S FF65LAPIS TechnologyRFU02VSM8STRRohm SemiconductorDIODE GP 800V 200MA TUMD2SMRFUH20TF6SRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFMRFU02VS6SGLAPIS TechnologyRFU02VS6SGTRLAPIS Technology
RFUH20NS6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 20A LPDSRFUH20NS6SFHTLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 20A LPDSRFU20NP5STRLAPIS TechnologyRFUH20NS3S TLLAPIS TechnologyRFUH10NS6SLAPIS TechnologyRFU20TM6SLAPIS TechnologyRFU20NP5SLAPIS TechnologyRFUH10LAPIS TechnologyRFUH20NS3SLAPIS TechnologyRFU20TF5SLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที