ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFUS20TM4S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RFUS20TM4S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RFUS20TM4S
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.6 V @ 20 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 430 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220FN | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 430 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFUS20 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RFUS20TM4S
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFUS20TM4S | RFUH20TF6S | RFUS20NS4STL | RFUS20TF6S |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFUS20 | RFUH20 | RFUS20 | RFUS20 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 35 ns | - | 35 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.6 V @ 20 A | 2.8 V @ 20 A | - | 2.8 V @ 20 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | TO-220-2 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-2 Full Pack |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220FN | TO-220NFM | LPDS | TO-220NFM |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 430 V | 10 µA @ 600 V | - | 10 µA @ 600 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | 20A | 20A | 20A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 430 V | 600 V | 430 V | 600 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
RFUH30TS6DLAPIS TechnologyRFUH20TF6SRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFMRFUS20NS4STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 430V 20A LPDSRFUH20NS3S TLLAPIS TechnologyRFUS20NS4S TLLAPIS TechnologyRFUS20TF6SRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFMRFUH20NS6SFHTLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 20A LPDSRFUS20T4S FF66LAPIS TechnologyRFUS20NS6SLAPIS TechnologyRFUS20TM6SRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 20A TO220FNRFUH20NS6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 20A LPDSRFUS20NS4SLAPIS TechnologyRFUH20TF4S-FF70LAPIS TechnologyRFUS20T4SLAPIS TechnologyRFUS20T4SFF65LAPIS TechnologyRFUH20T3S FF67LAPIS TechnologyRFUH25NP3SLAPIS TechnologyRFUS10TF4SRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 430V 10A TO220NFM| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที