ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFV8BM6STL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RFV8BM6STL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RFV8BM6STL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.8 V @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 45 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFV8BM6 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RFV8BM6STL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFV8BM6STL | MBRS410ET3 | RFV8TJ6SGC9 | S3GHR7G |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | onsemi | Rohm Semiconductor | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 4A | 8A | 3A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 30pF @ 4V, 1MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -65°C ~ 150°C | 150°C (Max) | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.8 V @ 8 A | 500 mV @ 4 A | 2.8 V @ 8 A | 1.15 V @ 3 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFV8BM6 | MBRS410 | RFV8TJ6 | S3G |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DO-214AB, SMC | TO-220-2 Full Pack | DO-214AB, SMC |
| ชุด | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 45 ns | - | 45 ns | 1.5 µs |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 150 µA @ 10 V | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 400 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252 | SMC | TO-220ACFP | DO-214AB (SMC) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 10 V | 600 V | 400 V |
MBRS410ET3onsemiDIODE SCHOTTKY 10V 4A SMC
RFVC7081RFMDRFV8TJ6SGC9Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACFPS3GHR7GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
1N4588GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA
1N5820STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201ADRFVC4200RFMD
DA2U10100LPanasonic Electronic ComponentsDIODE GP 80V 100MA USSMINI2-F2-B
RB051L-40TE25Rohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 3A PMDS
MR1120Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 12A DO4RFV15TJ6SGC9Rohm SemiconductorDIODE GP 600V 15A TO220ACFP
MURS260-E3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 2A DO214AARFVC-7077RFMD
MBRS130LT3onsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A SMB
R21100Microchip TechnologyRECTIFIERRFVC1836SRRFMD
SS3P5HM3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 50V 3A DO220AAR3540Microchip TechnologyDIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที