ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RGTH60TS65GC11
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RGTH60TS65GC11 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RGTH60TS65GC11
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 650 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 30A | |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 27ns/105ns | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247N | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 197 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 58 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 120 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 58 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RGTH60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RGTH60TS65GC11
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RGTH60TS65GC11 | STGB14NC60KT4 | RGT50TS65DGC13 | STGW45HF60WD |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | STMicroelectronics | Rohm Semiconductor | STMicroelectronics |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | - | Trench Field Stop | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247N | D2PAK | TO-247G | TO-247-3 |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 30A | 2.5V @ 15V, 7A | 2.1V @ 15V, 25A | 2.5V @ 15V, 30A |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 120 A | - | 75 A | 150 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 58 nC | 34.4 nC | 49 nC | 160 nC |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 27ns/105ns | 22.5ns/116ns | 27ns/88ns | 30ns/145ns |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RGTH60 | STGB14 | RGT50 | STGW45 |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | 390V, 7A, 10Ohm, 15V | 400V, 25A, 10Ohm, 15V | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V |
| ชุด | - | PowerMESH™ | - | - |
| การสลับพลังงาน | - | 82µJ (on), 155µJ (off) | - | 300µJ (on), 330µJ (off) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 58 A | 25 A | 48 A | 70 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 650 V | 600 V | 650 V | 600 V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 197 W | 80 W | 174 W | 250 W |
RGT40TS65DGLAPIS TechnologySTGB14NC60KT4STMicroelectronicsIGBT 600V 25A 80W D2PAKRGT30TM65DLAPIS TechnologyRGT50TS65DGC13Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 48A TO247GRGTH60TS65DGLAPIS TechnologySTGW45HF60WDSTMicroelectronicsIGBT 600V 70A 250W TO247
RGT8BM65DTLRohm SemiconductorIGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252RGTH60TS65DLAPIS Technology
IXSX35N120BD1IXYSIGBT 1200V 70A 300W PLUS247RGTH00TS65DG C11LAPIS TechnologyRGTH60TS65DGC11Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247NRGTH60TS65DGC13Rohm SemiconductorIGBT TRENCH FIELD 650V 58A TO247
IRG4BC10UPBFInfineon TechnologiesIGBT 600V 8.5A 38W TO220ABRGTH40TS65DGC11Rohm SemiconductorIGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
IXGH60N60C3D1IXYSIGBT 600V 75A 380W TO247ADRGTH60TW65DGC13LAPIS TechnologySTGW40H120F2STMicroelectronicsIGBT 1200V 40A HS TO-247IXGH31N60D1IXYSIGBT 600V 60A 150W TO247AD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที