ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RRQ045P03TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RRQ045P03TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RRQ045P03TR
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TSMT6 (SC-95) | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 4.5A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 600mW (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1350 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 14 nC @ 5 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.5A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RRQ045 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RRQ045P03TR
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | RRQ045P03TR | IPD042P03L3GATMA1 | IRLR8503TR | AOD2210 |
ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TSMT6 (SC-95) | PG-TO252-3 | D-Pak | TO-252 (DPAK) |
ชุด | - | OptiMOS™ | HEXFET® | - |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 14 nC @ 5 V | 175 nC @ 10 V | 20 nC @ 5 V | 40 nC @ 10 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 200 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RRQ045 | IPD042 | - | AOD22 |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 4.5A, 10V | 4.2mOhm @ 70A, 10V | 16mOhm @ 15A, 10V | 105mOhm @ 18A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1350 pF @ 10 V | 12400 pF @ 15 V | 1650 pF @ 25 V | 2065 pF @ 100 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.5A (Ta) | 70A (Tc) | 44A (Tc) | 3A (Ta), 18A (Tc) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 1mA | 2V @ 270µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 5V, 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 600mW (Ta) | 150W (Tc) | 62W (Tc) | 2.5W (Ta), 100W (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RRQ045P03TR PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ RRQ045P03TR - Rohm Semiconductor
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที