Name: Rohm Semiconductor RS1E130GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E130GNTB

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	LAPIS Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 1mA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	8-HSOP
ชุด	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	11.7mOhm @ 13A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	3W (Ta), 22.2W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-PowerTDFN
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	420 pF @ 15 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	7.9 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	30 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	13A (Ta)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RS1E

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	RS1E130GNTB	RS1E150GNTB	RS1E130GNFU7TB	RS1E150GN
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	LAPIS Technology	LAPIS Technology
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RS1E	RS1E	-	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN	-	-
ชุด	-	-	-	-
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	-	-
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-	-
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	30 V	30 V	-	-
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)	150°C (TJ)	-	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	11.7mOhm @ 13A, 10V	8.8mOhm @ 15A, 10V	-	-
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	-	-
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	13A (Ta)	15A (Ta)	-	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V	-	-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	7.9 nC @ 10 V	10 nC @ 10 V	-	-
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	3W (Ta), 22.2W (Tc)	3W (Ta), 22.9W (Tc)	-	-
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	420 pF @ 15 V	590 pF @ 15 V	-	-
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	-	-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	8-HSOP	8-HSOP	-	-
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	-	-
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 1mA	2.5V @ 1mA	-	-
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

RS1E130GNTB - Rohm Semiconductor

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

RS1E130GNTB Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

RS1E130GNTB

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการกลับ

RS1E130GNTB - Rohm Semiconductor

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

RS1E130GNTB Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

RS1E130GNTB

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ