ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RSD140P06TL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RSD140P06TL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RSD140P06TL
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 1mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | CPT3 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 84mOhm @ 14A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 20W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1900 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 14A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RSD140 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RSD140P06TL
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | RSD140P06TL | RSD175N10TL | RSD131P10TL | RSD150N06TL |
ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 100 V | 100 V | 60 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1900 pF @ 10 V | 950 pF @ 25 V | 2400 pF @ 25 V | 930 pF @ 10 V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 14A (Ta) | 17.5A (Ta) | 13A (Tc) | 15A (Ta) |
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | 4V, 10V | 4V, 10V | 4V, 10V |
ประเภท FET | P-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 20W (Tc) | 20W (Tc) | 850mW (Ta), 20W (Tc) | 20W (Tc) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RSD140 | RSD175 | RSD131 | RSD150 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 84mOhm @ 14A, 10V | 105mOhm @ 8.8A, 10V | 200mOhm @ 6.5A, 10V | 40mOhm @ 15A, 10V |
ชุด | - | - | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | CPT3 | CPT3 | CPT3 | CPT3 |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 3V @ 1mA |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที