ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RU1L002SNMGTL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RU1L002SNMGTL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RU1L002SNMGTL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| Vgs (สูงสุด) | - | |
| เทคโนโลยี | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | - | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | - | |
| ประเภท FET | - | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | - | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RU1L002SNMGTL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RU1L002SNMGTL | RU1J002YNTCL | RU1L002SNTL | RU1HP55R |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | 150mW (Ta) | 200mW (Ta) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | 26 pF @ 10 V | 15 pF @ 25 V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | - | Surface Mount | Surface Mount | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | SC-85 | SC-85 | - |
| Vgs (สูงสุด) | - | ±8V | ±20V | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | 800mV @ 1mA | 2.3V @ 1mA | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - | 200mA (Ta) | 250mA (Ta) | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | - | 50 V | 60 V | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | - | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V | 2.4Ohm @ 250mA, 10V | - |
| เทคโนโลยี | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | - | 0.9V, 4.5V | 2.5V, 10V | - |
| ประเภท FET | - | N-Channel | N-Channel | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | UMT3F | UMT3F | - |
RU1HP55RRU1HP60RRU1HL8LRUICHIPSRU1J002YN TCLLAPIS TechnologyRU1J002YNLAPIS TechnologyRU1HE4DRUICHIPSRU1J002YNTCLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 50V 200MA UMT3FRU1L002SN-TLLAPIS TechnologyRU1J002YN TLLAPIS TechnologyRU1L002SNLAPIS TechnologyRU1HP60SRuichipsRU1L002SN TLLAPIS TechnologyRU1L002SLAPIS TechnologyRU1HL13LRUICHIPSRU1Z200QRU1HL13RRUICHIPSRU1L002SNTLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 60V 250MA UMT3FRU1Z120R| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที