ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RZR040P01TL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RZR040P01TL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RZR040P01TL
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 1mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±10V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TSMT3 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-96 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2350 pF @ 6 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 12 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RZR040 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RZR040P01TL
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | RZR040P01TL | RZR025P01TL | RZR020P01TL | NTB30N06LT4G |
ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | onsemi |
ชุด | - | - | - | - |
ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA | 2V @ 250µA |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2350 pF @ 6 V | 1350 pF @ 6 V | 770 pF @ 6 V | 1150 pF @ 25 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 12 V | 12 V | 12 V | 60 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RZR040 | RZR025 | RZR020 | NTB30 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V | 13 nC @ 4.5 V | 6.5 nC @ 4.5 V | 32 nC @ 5 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4A, 4.5V | 61mOhm @ 2.5A, 4.5V | 105mOhm @ 2A, 4.5V | 46mOhm @ 15A, 5V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TSMT3 | TSMT3 | TSMT3 | D²PAK |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-96 | SC-96 | SC-96 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 5V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1W (Ta) | 1W (Ta) | 1W (Ta) | 88.2W (Tc) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A (Ta) | 2.5A (Ta) | 2A (Ta) | 30A (Ta) |
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Vgs (สูงสุด) | ±10V | ±10V | ±10V | ±15V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RZR040P01TL PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ RZR040P01TL - Rohm Semiconductor
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที