ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SH8K2TB1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - SH8K2TB1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - SH8K2TB1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOP (5.0x6.0) | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Gull Wing | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 520pF @ 10V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 10.1nC @ 5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6A | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SH8K2 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor SH8K2TB1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SH8K2TB1 | SH8K32TB1 | SH8K32GZETB | SH8K26GZ0TB1 |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Gull Wing | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 10V | 65mOhm @ 4.5A, 10V | 65mOhm @ 4.5A, 10V | 38mOhm @ 6A, 10V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6A | 4.5A | 4.5A (Ta) | 6A (Ta) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SH8K2 | SH8K32 | SH8K32 | SH8K26 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | 60V | 60V | 40V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOP (5.0x6.0) | 8-SOP (5.0x6.0) | 8-SOP | 8-SOP |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | 2W | 1.4W (Ta) | 2W (Ta) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 10.1nC @ 5V | 10nC @ 5V | 10nC @ 5V | 2.9nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 520pF @ 10V | 500pF @ 10V | 500pF @ 10V | 280pF @ 10V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SH8K2TB1 PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ SH8K2TB1 - Rohm Semiconductor
SH8K26LAPIS TechnologySH8K26 GZ0TB1LAPIS TechnologySH8K41LAPIS Technology
SH8K22TBVBsemiSH8K32TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8SH8K32LAPIS TechnologySH8K32GZETBRohm Semiconductor4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPLEXSH8K25LAPIS TechnologySH8K5TBVBsemiSH8K26GZ0TB1Rohm Semiconductor40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDLSH8K26 GZOTBLAPIS TechnologySH8K3TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8SH8K41GZETBRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOPSH8K22GZETBLAPIS TechnologySH8K22TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8SH8K32TBLAPIS TechnologySH8K22LAPIS TechnologySH8K4TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที