ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี TT8J2TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - TT8J2TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - TT8J2TR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TSST | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 84mOhm @ 2.5A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.25W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 460pF @ 10V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 4.8nC @ 5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.5A | |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | TT8 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor TT8J2TR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | TT8J2TR | TT8J11TCR | TT8J21TR | TT8M1TR |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | 12V | 20V | 20V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | TT8 | TT8J11 | TT8J21 | TT8M1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 460pF @ 10V | 2600pF @ 6V | 1270pF @ 10V | 260pF @ 10V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 4.8nC @ 5V | 22nC @ 4.5V | 12nC @ 4.5V | 3.6nC @ 4.5V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TSST | 8-TSST | 8-TSST | 8-TSST |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.5A | 3.5A | 2.5A | 2.5A |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 1.5V Drive | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 84mOhm @ 2.5A, 10V | 43mOhm @ 3.5A, 4.5V | 68mOhm @ 2.5A, 4.5V | 72mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.25W | 650mW | 650mW | 1W |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 1mA | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA | 1V @ 1mA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล TT8J2TR PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ TT8J2TR - Rohm Semiconductor
TT8J11TCRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8TT8U2 FU7TRLAPIS TechnologyTT8J21TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8TT8J21FU7TCRLAPIS TechnologyTT8J11FU7TCRLAPIS TechnologyTT8U1TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSSTTT8M1TRRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8TT8M3TRRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8TT8U2TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSSTTT8U2/TRLAPIS TechnologyTT8U1/TRLAPIS TechnologyTT8J21 FU7TLLAPIS TechnologyTT8U2FU7TLLAPIS TechnologyTT8J11LAPIS TechnologyTT8J21/TRLAPIS TechnologyTT8U2FU7TRLAPIS TechnologyTT8J11 FU7TCRLAPIS TechnologyTT86N400KOCAEGIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที